Opis stanowiska
„Projekt ma na celu opracowanie technologii pamięci nieulotnej i logiki spintronicznej o ekstremalnie niskiej mocy i nieskończonej trwałości, poprzez badania eksperymentalne nowych materiałów i urządzeń kwantowych, które mogą znacznie zwiększyć wydajność przełączania magnetyzacji. Dzięki tym materiałom badane będą zjawiska fizyczne i nowe funkcjonalności urządzeń, które nie są możliwe w tradycyjnej spintronice bazującej w głównej mierze na metalach polikrystalicznych. Do badań wykorzystanych zostanie szereg materiałów hybrydowych, które będą zaprojektowane, zsyntetyzowane, wytworzone oraz zintegrowane z najnowocześniejszymi urządzeniami MRAM.”
Nasze wymagania
- stopień doktora w dyscyplinie Elektronika, Fizyka, Inżynieria Materiałowa lub pokrewne uzyskany w roku zatrudnienia w projekcie lub w okresie 7 lat przed 1 stycznia roku zatrudnienia w projekcie,
- posiadany stopień: recognized researcher (R2),
- język angielski na poziomie co najmniej B2,
- doświadczenie w próżniowych technologiach osadzania warstw (PLD, sputtering),
- doświadczenie w analizie i przeprowadzaniu pomiarów, m.in.(XRR,XRD,VSM etc),
- doświadczenie w pracy w pomieszczeniach czystych (cleanroom),
- zaangażowanie w realizację projektu na poziomie pełnego etatu,
- pasja do realizacji ambitnego projektu naukowego, chęć rozwoju,
- osiągnięcia naukowe i organizacyjne oraz aktywny udział w konferencjach i sympozjach.
Zakres obowiązków
- szczegóły w załączeniu
Dokumenty wymagane do rekrutacji
- podanie, CV, kwestionariusz osobowy,
- dokument potwierdzający znajomość języka angielskiego na poziomie co najmniej B-2,
- kopię dyplomu doktorskiego,
- udokumentowany dorobek naukowo-badawczy w postaci 5 najważniejszych publikacji,
- list referencyjny poświadczający nabyte umiejętności i doświadczenie,
- list motywacyjny zawierający opis zrealizowanych projektów.